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高转移率IWO薄膜性情及其正在薄膜硅晶体硅异质

文章来源:太阳城真人,太阳城真人app    时间:2019-12-29
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  采用反应等离子沉积(RPD)技术在玻璃衬底上制备掺W的In_2O_3(IWO)薄膜,实验发现氧偏压对薄膜特性影响较大。研究氧偏压对IWO薄膜光电特性的影响,低温条件下制备的薄膜结晶性较好,IWO迁移率达到60.0cm~2/(V·s)。经过退火处理后,IWO的迁移率达到120.0 cm~2/(V·s)以上。基于X射线衍射(XRD)和变温霍尔效应测试分析,高迁移率主要归因于良好的结晶性以及较低的晶界势垒。最后将优化的IWO薄膜应用到薄膜硅/晶体硅异质结(SHJ)太阳电池中,高迁移率有助于提高电池的短路电流和填充因子,获得高达22.3%的光电转换效率。

  张鹏;金光;石广丰;齐迎春;孙小伟;;空间薄膜反射镜的研究发展现状[J];中国光学与应用光学;2009年02期

  记者刘其丕 李晓飞;天津薄膜光学重点实验室成立[N];中国有色金属报;2010年

  孙喜桂;硒化铅薄膜的磁控溅射制备及性能研究[D];北京科技大学;2016年

  张玉杰;Sn掺杂In_2O_3和In_2O_3薄膜的电子输运性质研究[D];天津大学;2015年

  顾志清;氮化铪和氮化铪钽薄膜的结构辨认与光电性质研究[D];吉林大学;2016年

  彭释;大气压DBD等离子体沉积SiO_xC_yH_z结构薄膜及其光学性能研究[D];东华大学;2017年

  胡涛;溶胶凝胶法制备镁掺杂钛酸锶铅和银掺杂锆钛酸铅薄膜及其介电性能研究[D];浙江大学;2016年

  尹诗流;通过磁控溅射ZnO:Al薄膜中的缺陷调控薄膜的光学和电学性能及相关物理机制的研究[D];中国科学技术大学;2016年

  杨刚;铜锌锡硫基薄膜材料微结构的改善及其光电应用研究[D];吉林大学;2017年

  储新宏;智能窗用VO_2基薄膜的磁控溅射法制备与性能研究[D];武汉理工大学;2015年

  汪已琳;晶体硅异质结太阳电池表面及薄膜层制备与光学性能研究[D];南昌大学;2013年

  闫伟超;α-NbZnSnO薄膜的制备与表征及其在薄膜场效应晶体管中的应用[D];浙江大学;2015年

  柳林杰;Al、N掺杂ZnO薄膜的制备及其ZnO第一性原理计算[D];燕山大学;2015年

  崔丽;低温溶剂热法制备ZnO薄膜及性能研究[D];燕山大学;2015年

  魏颖娜;基于非水解sol-gel法的还原氮化技术制备TiN薄膜[D];河北联合大学;2014年

  刘倩;Cu-Zn-Sn硫族化物薄膜吸收层的共溅射制备工艺及性能研究[D];内蒙古大学;2015年

  张静文;外源等离子体溅射Mg_2Si薄膜以及光电性能的研究[D];郑州大学;2015年

  吴艳;有机织物基LaB_6薄膜的制备工艺及其性能研究[D];山东大学;2015年

  邓银洁;拉伸成孔制备聚合物粒子/PET复合光反射膜的研究[D];西南科技大学;2015年

  张雅晶;稀土和过渡元素涂层对Al_2O_3薄膜发光性能的影响[D];新疆大学;2015年

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