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助推半导体及太阳能光伏物业进展

文章来源:太阳城真人,太阳城真人app    时间:2020-05-17
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  太阳城棋牌《硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光法》的主修订单位。

  多晶硅中的III、V族杂质含量(施主杂质含量、受主杂质含量)是影响多晶硅产品质量的重要技术指标,目前一般通过气氛区熔工艺将多晶硅拉制成单晶,再采用低温傅立叶变换红外光谱法(LTFT-IR)测定III、V族杂质含量。为确保硅晶体中的III、V族杂质含量的测量准确性,原有标准GB/T 24581-2009已经不能充分适应目前半导体及太阳能光伏产业的需要,有必要对原标准进行修订。

  市质检所作为全国半导体设备和材料标准化技术委员会和材料分技术委员会成员单位,长期以来高度重视标准化工作,主持和参与多项硅材料相关国家标准的研究。据悉,本次标准修订将结合标准的实际使用情况对原标准的技术内容进行适当修改,同时增加多个实验室的测量精密度,使GB/T 24581更为完善,从而更好地满足半导体及光伏产业发展的需要,助推我市加速壮大光伏产业集群、打造千亿“绿色硅谷”。

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